Page 63 - 2025 TSIA年刊

博士研究生 楊宗穎 Tsung-Ying Yang 國立陽明交通大學 國際半導體產業學院 獲獎摘要 楊宗穎同學於國立陽明交通大學國際半導體產業學院中就讀博士班。主題研究以鐵電閘極介電層 實現常關型氮化鎵高功率元件。包含元件製程之優化、閘極介電層材料開發，以及元件特性及可 靠度分析。其主題研究已經發表於 IEDM、EDL、TED 等頂尖國際期刊，同時也獲得國內多項獎 學金肯定。 得獎經歷 / 專利 • 2023 鴻海科技獎 • 2022 南亞科技未來之星金質獎 • 2022~2023 交大 - 台積電聯合研發中心研究助理獎助金 • 2020 國家科學及技術委員會大學院校培育優秀博士獎學金 重要學術著作 1. T. -Y. Yang, H. -Y. Huang, Y. -K. Liang, J. -S. Wu, M. -Y. Kuo, K. -P. Chang, H. -T. Hsu, and E. -Y. Chang, "A normally-off GaN MIS-HEMT fabricated using atomic layer etching to improve device performance uniformity for High Power Applications," IEEE Electron Device Letters, vol. 43, no. 10, pp. 1629– 1632, Oct. 2022. doi: 10.1109/LED.2022.3201900. 2. T. -Y. Yang, S. -R. Wu, J. -S. Wu, Y. -K. Liang, M. -Y. Kuo, H. Iwai, and E. -Y. Chang, "The effect of fluorine doping in the charge trapping layer on device characteristics and reliability of E-mode GaN MIS-HEMTs," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 71, no. 6, pp.3603–3608, Jun. 2024. doi: 10.1109/TED.2024.3393933. 3. T. -Y. Yang, M. -Y. Kuo, J.-S. Wu, Y. -K. Liang, R. Rai, S. K. Rathaur, and E. -Y. Chang, "Improvement of the Enhancement-Mode GaN MIS-HEMTs by Fluorine Doping in the Dielectric Gate Stack," in IEEE Transactions on Nanotechnology, vol. 24, pp. 42-47, 2025, doi:10.1109/TNANO.2024.3522371. 4. T. -Y. Yang, J.-S. Wu, Y. -C. Weng, R. Rai, T. -F Liu, T. -H. Tseng, P. -X. Beh and E. -Y. Chang, "Impact of Aluminum Concentration Variations on the Performance of Thin Barrier Enhancement-mode GaN MIS-HEMTs," Japanese Journal of Applied Physics, vol. 64, no. 1, Jan. 2025. doi:10.35848/1347- 4065/ada619. 5. J.-S. Wu, P.-H. Liao, S.-J. Chang, T. -Y. Yang, C.-Y. Teng, Y.-K. Liang, D. Panda, Q. H. Luc, and E. -Y. Chang, "Superior Breakdown, Retention, and TDDB Lifetime for Ferroelectric Engineered Charge Trap Gate E-mode GaN Mis-HEMT," 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA, 2022, pp. 847-850. doi: 10.1109/IEDM45625.2022.10019471. 6. Y.-K. Liang, W. -L. Li, Y. -L. Lin, D. -R. Hsieh, T. -Y. Yang, T. -T. Chou, C. -C. Kei, H. -Y. Huang, Y. -C. Tseng, T. -S. Chao, E. -Y. Chang, K. Toprasertpong, S. Takagi, and C. -H. Lin, "Improved Stability of BEOL-Compatible Highly Scaled Ultrathin InZnO Channel Ferroelectric Thin-Film Transistor With TiO2 Interfacial Layer," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 71, no. 9, pp. 5788-5791, Sept. 2024, doi: 10.1109/TED.2024.3433835. 7. S. K. Rathaur, J. -S. Wu, T.-Y. Yang, A. Amin, A. Dixit and E. Y. Chang, "High-Temperature TDDB Investigation on High Performance-Centered Hybrid HZO/HfON/Al2O3, Ferro-Electric Charge-Trap (FEG) GaN-HEMT," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 70, no. 9, pp. 4584-4590, Sept. 2023, doi: 10.1109/TED.2023.3295766. 8. Z.-H. Huang, T. -Y. Yang, J. -S. Wu, Y. -K. Liang, J. -F. Hsu, W. -C. Lin, T. -L. Wu and E. -Y. Chang, "Investigation of Time-Dependent Gate Dielectric Breakdown in Recessed E-mode GaN MIS-HEMTs using Ferroelectric Charge Trap Gate Stack (FEG-HEMT)," Microelectronics Reliability, vol. 150, p. 115215, Nov. 2023. doi:10.1016/j.microrel.2023.115215. 9. J.-S. Wu, Y. -C. Weng, T. -Y. Yang, C. -H. Wu, C. -C. Lee, H. Iwai and E. -Y. Chang, "Recent Progress of E-mode Gallium Nitride Metal–Insulator– Semiconductor -High Electron Mobility Transistors with Hybrid Ferroelectric Charge Trap Gate (FEG-HEMT) for Power Switching Applications," physica status solidi (a), vol. 220, no. 16, Aug. 2023. doi:10.1002/pssa.202370036. 10. S. K. Rathaur, L. T. Hieu, T. -Y. Yang, S.-H. Tsai, W.-Y. Lin and A. Dixit, "Investigation on Traps Dynamics & Negative Bias Stress in D-Mode GaN-on- Si Power MIS HEMTs Under High-Temperature," in IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, vol. 24, no. 3, pp. 414-421, Sept. 2024, doi: 10.1109/TDMR.2024.3426526. 專 題 報 導 活 動 報 導 附 錄 指導教授 張翼 教授 現職 · 國立陽明交通大學 / 材料科學與工程學系終身講座教授 學歷 · 美國明尼蘇達大學 / 材料科學與工程博士 經歷 · 國立陽明交通大學 / 材料所 / 電子所合聘教授 (2008.2~ 迄今 ) · 國立陽明交通大學 / 台積電聯合研發中心主任 (2013.5~ 迄今 ) · 國立交通大學 / 副校長 (2015.08~2021.1) · 國立交通大學 / 國際半導體產學學院院長 (2014.9~2022.7) · 國立交通大學 / 研發長 (2011.2~2016.7) · 國立交通大學 / 材料科學與工程學系系主任 (2004.2~2008.2) · 國立交通大學 / 國際化事務辦公室執行長 (2002.6~2004.1) · 國立交通大學 / 材料科學與工程學系教授 (1999.2~2008.2) · 漢威光電公司 / 總經理 (1997.12-1999.1) · 美國 Comsat Labs, Senior MTS/Microelectronics Division (1988.5~1990.1) · 美國 Unisys Corp, Senior MTS/GaAs Component Division (1985.12~1988.5) Taiwan Semiconductor Industry Association |台灣半導體產業協會 61 理 事 長 的 話 議 程 與 講 員 簡 歷 歷 屆 理 事 長 重 要 事 蹟 與 貢 獻 半 導 體 獎 TSIA