Page 60 - 2025 TSIA年刊

2025 郭庭慈 Ting-Tzu Kuo 國立中山大學 電機工程學系 獲獎摘要 郭庭慈同學於 2019 年學士逕讀國立中山大學電機工程學系博士學位，研究領域為 GaN HEMT 和 FinFET 元件之特性與可靠度物理機制分析。迄今，研究成果發表第一作者國際期刊 4 篇、第一作 者研討會論文 3 篇與發明專利共 2 項。郭同學於 2024 年獲國科會補助博士生赴國外研究，以年輕 訪問學者身分前往日本東京科學大學進行 AlScN 鐵電記憶體方面的交流研究。 得獎經歷 / 專利 • 2024 國科會補助博士生赴國外研究 ( 千里馬計畫 ) • 2024 西灣領航計畫出國研修獎助 • 2023 南亞科技未來之星獎學金 • 2023 國防工業獎學金 • 2020 物理學會大專生優秀論文獎 重要學術著作 • 2018 菁英博士班獎學金 • 2018 日月光半導體公司獎學金 • 2017~2019 書香獎 • 已獲證美國專利 1 項:US20230378337A1 • 已獲證台灣專利 1 項:TWI837667B 1. T.-T. Kuo, Y.-C. Chen, T.-C. Chang, C.-H. Yeh, J.-H. Lin, Y.-H. Lee, W.-C. Hung, H.-M. Kuo, J.-T. Hsu, C.-H. Lin, B.-Y. Chen, and Y.-H. Kuo, "The Reliability and Noise Investigation of Boron Diffusion under Positive Bias Temperature Instability in 16nm Node High Voltage FinFETs," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 71, no. 12, pp. 7302-7307, Dec. 2024. 2. T.-T. Kuo, Y.-C. Chen, T.-C. Chang, J.-H. Lin, K.-C. Chang, J.-T. Hsu, Y.-Z. Wu, C.-H. Yeh, W.-C. Hung, Y.-H. Lee, H.-M. Kuo, C.-H. Lin, Jason Lee and Simon. M. Sze, "An Extensive Negative Gate Bias Stress Degradation Mechanism in GaN MIS-HEMTs for Aerospace Applications," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 71, no. 10, pp. 5941-5948, Oct. 2024. 3. T.-T. Kuo, Y.-C. Chen, T.-C. Chang, M.-C. Tai, Y.-X. Wang, K.-H. Chen, Y.-S. Lin, F.-M. Ciou, F.-Y. Jin, K.-C. Chang, W.-C. Hung, Y.- C. Chang and C.-H. Yeh, "Analysis of Abnormal Threshold Voltage Shift Induced by Surface Donor State in GaN HEMT on SiC Substrate," Applied Physics Letters, vol. 120, no. 23, pp. 233505, June 2022. 4. T.-T. Kuo, Y.-C. Chen, T.-C. Chang, K.-C. Chang, C.-H. Yeh, F.-M. Ciou, Y.-H. Lin, C.-Y. Lin, F.-Y. Jin, Y.-S. Lin, W.-C. Hung, Y.-C. Chang, K.-H. Chen, "Abnormal Trend in Hot Carrier Degradation with Fin Profile in Short Channel FinFET Devices at 14 nm Node,"Semiconductor Science and Technology, vol. 37, no 4, pp. 045010 Feb. 2022. 5. C.-H. Yeh, T.-C. Chang, T.-T. Kuo, W.-C. Hung, J.-H. Lin, Y.-H. Lee, W.-T. Yen, H.-M. Kuo, F.-M. Ciou, K.-C. Chang, and W.-C. Hung, "Reliability Enhancement by Doping Boron and Fluorine in Lightly Doped Drain Region of High-Voltage FinFET," IEEE Electron Device Letters, 44(6), 971-974. (2023) 6. T.-T. Kuo, Y.-C. Chen, T.-C. Chang, F.-M. Ciou, C.-H. Yeh, P.-H. Chen, and Simon M Sze, "An Extended Method to Analyze Boron Diffusion Defects in 16 nm Node High-Voltage FinFETs," 2023 35th International Conference on Microelectronic Test Structure (ICMTS), Tokyo, Japan. (2023) 7. T.-T. Kuo, Y.-C. Chen, Y.-S. Lin, Y.-C. Chien, and F.-M. Ciou, P.-H. Chen, T.-C. Chang, "A Comprehensive Negative Bias Temperature Instability Model for Gallium-nitride Metal-insulator-semiconductor High Electron Mobility Transistors From 77K to 393K," IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), Marina Bay Sand Expo and Convention Centre, Singapore. (2021) 8. T.-T. Kuo, Y.-C. Chen, T.-C. Chang, K.-C. Chang, Y.-S. Lin, F.-M. Ciou, M.-C. Tai, and P.-H. Chen, "Effects of FinFET Fin Shape on Electrical Characteristics and Hot Carrier Stress," International Electron Devices & Materials Symposium (IEDMS), Taoyuan, Taiwan. (2020) 9. J.-T. Hsu, T.-C. Chang, T.-T. Kuo, J.-H. Lin, P.-H. Chen, and Shawn S. H. Hsu, "Investigating Kink drain Voltage of Drain Current with Capacitance-Voltage Measurement Method in GaN HEMTs," IEDMS & SNDCT 2024, Hsinchu, Taiwan. (2024) 10. Y.-Z. Wu, F.-Y. Jian, T.-T. Kuo, P.-H. Chen, and T.-C. Chang, "Investigating the Relationship Between Kink Voltage and Width Effect in GaN-on-SiC HEMTs," 2023 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications (VLSI TSA), Hsinchu, Taiwan. (2023) 58 指導教授 陳英忠 特聘教授 現職 · 國立中山大學 / 半導體及重點科技研究學院 電機工程學系 學歷 · 國立成功大學 / 電機工程博士 經歷 · 國立中山大學 / 學術副校長 · 國立中山大學 / 研發長 · 國立中山大學 / 工學院院長 · 臺灣知識創新學會 / 副理事長 張鼎張 講座教授 現職 · 國立中山大學 / 物理系 學歷 · 國立交通大學 / 電子所博士 經歷 · IEEE Fellow · 國立中山大學 / 物理系講座教授 (2016.8~ 迄今 ) · 國立清華大學 / 半導體研究學院合聘教授 (2023.1~ 迄今 ) · 國家奈米元件實驗室研究員